田中 貴久 准教授「次世代1nmノード以降の半導体に向けた配線材料を開拓」プレスリリース

田中貴久准教授らのグループは，国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）の次世代エッジAI半導体研究開発事業において，次世代半導体における配線材料に関する4件の新技術・新知見を開発し，プレスリリースを発表しました．

「次世代1nmノード以降の半導体に向けた配線材料を開拓－新材料配線に関する4アプローチでポストCu配線の実現に向けた指針を提示－」
プレスリリース全文（PDF)